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碳化硅MOSFET

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1200V系列SiC MOSFET

- 卓越的RDson温度稳定性

- 更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)

   支持+15V,+18V驱动模式(可实现IGBT兼容:+15V)

   +18V模式下,RDson可降低20%

- 出色的阈值电压一致性

- 体二极管正向压降非常低且稳健性高

- 光伏、储能变换器

- 新能源汽车充电桩

- 新能源汽车OBC/DCDC等

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